۱۱۵ فیلم ۲۰۱۱ و ۲۰۱۲! ۱۱۵ فیلم ۲۰۱۱ و ۲۰۱۲!
مجموعه ای از جذاب ترین و پرفروشترین
فیلمهای روز دنیا!هر فیلم 135 تومان!
صد فیلم برتر شاهکار سینما
از هنرمندان بزرگی چون:آلپاچینو
آلن دولن ، مارلون براندو ،‌ آنتونی کوئین
X
تبلیغات در بلاگ اسکای
دوشنبه 1 مرداد ماه سال 1386
DTE -> Data Terminal Equipment : منبع و گیرنده داده ها را در شبکه‌های رایانه‌ای DTE می‌گویند .

• DCE -> Data Communication Equipment  : تجهیزاتی که مشخصات الکتریکی داده ها را با مشخصات کانال داده ها تطبیق می‌دهد مانند مودم .

• B.W -> Band width : پهنای باند یا محدوده‌ای که در آن امواج آنالوگ بدون هیچ افتی حرکت می‌کنند .

• Noise : نویز یا پارازیت به امواج الکتریکی مزاحم می‌گویند که موجب اختلال در انتقال داده ها می‌شود .

• Bps : سرعت انتقال داده ها یا بیت در ثانیه.

• Network : ‌شبکه .

• Share : به اشتراک گذاری داده ها و منابع سخت افزاری برای استفاده همه کامپیوتر های موجود در شبکه .

• Time Sharing : نوعی شبکه در قدیم که از یک Main Frame به عنوان سرور استفاده می‌کردند .

• LAN -> Local area network   : شبکه‌های محلی و کوچک .

• MAN -> Metropolition area network  : شبکه‌های شهری .

• WAN -> Wide area network  : شبکه‌های گسترده همانند اینترنت .

• Node : به هر کامپیوتر وصل به شبکه Node یا گره می‌گویند .

• Server : سرویس دهنده .

• Client : سرویس گیرنده .

• Peer - to - Peer : شبکه‌های نظیر به نظیر که در آن هر کامپیوتری هم سرویس دهنده هست و هم سرویس گیرنده  .

• Server – Based : شبکه‌های بر اساس سرویس دهنده که در آن یک یا چند کامپیوتر فقط سرویس دهنده و بقیه کامپیوتر ها سرویس گیرنده هستند .

• Topology : توپولوژی به طرح فیزیکی شبکه و نحوه آرایش رایانه ها در کنار یکدیگر می‌گویند .

• BUS : توپولوژی خطی که در آن رایانه ها در یک خط به هم وصل می‌شوند. در این توپولوژی رایانه اول و آخر به هم وصل نیستند .

• Ring : توپولوژی حلقوی که بصورت یک دایره رایانه ها به هم وصلند و در این توپولوژی رایانه اول و آخر به هم وصلند .

• STAR : توپولوژی ستاره‌ای که در آن از یک هاب به عنوان قطعه مرکزی استفاده می‌شود. و رایانه ها به آن وصل می‌شوند .

• Collision : برخورد یا لرزش سیگنال ها .

• NIC : کارت شبکه .

• ‍Coaxial : نوعی کابل که به کابل های هم محور معروف است و دو نوع دارد، و در برپایی شبکه ها به کار می‌رود. و دارای سرعت 10 مگابیت در ثانیه است .

• TP -> Twisted Pair  : کابل های زوج به هم تابیده هستند و دو نوع دارند، و در برپایی شبکه ها به کار می‌رود. و حداکثر دارای سرعت 100 مگابیت در ثانیه است .

• Fiber Optic : کابل فیبر نوری که در برپایی شبکه ها به کار می‌رود و سرعت بسیار بالایی ( بیش از 1 گیگا بیت در ثانیه ) دارد.

• Thinnet : کابا کواکسیال ( هم محور ) نازک با پشتیبانی 185 متر بدون تقویت کننده .

• Thiknet : کابا کواکسیال ( هم محور ) ضخیم با پشتیبانی 500 متر بدون تقویت کننده .

• UTP -> Unshielded T.P  : نوعی کابل زوج به هم تابیده بدون حفاظ که شامل پنج رده می‌باشند .

• STP -> Shielded T.P : نوعی کابل زوج به هم تابیده دارای حفاظ می‌باشد .

• Rack : در شبکه‌های T.P. بزرگ برای جلوگیری از اشغال فضای زیاد توسط کابل ها مورد استفاده قرار می‌گیرد .

• Patch panel : دستگاهی که بین هاب و کابل قرار می‌گیرد .

• RJ-45 : فیش های مربوط به کابل های T.P. هستند .

• IRQ :‌ وقفه .

• Base I/O Port : آدرس پایه ورودی و خروجی .

• Base Memory : آدرس پایه حافظه .

• Boot ROM : قطعه‌ای برای بالا آوردن شبکه هایی که در آن هیچگونه دیسکی برای بالا آوردن نیست ( شبکه‌های Disk less ) .

• Wireless : بی سیم .

• WLAN -> Wireless LAN  : شبکه هایی محلی بی سیم .

• AP -> Access Point  : دستگاهی که یک کامپیوتر بی سیم را به یک شبکه LAN وصل می‌کند .

• ‍Cell : محدوده‌ای را که یک AP تحت پوشش دارد را سلول ( Cell ) می‌گویند .

• Protocol : پروتکلها، قوانین و روالهایی برای ارتباط هستند و یک شبکه برای برقراری ارتباط از این قوانین استفاده می‌کند .

• OSI : استاندارد OSI برای برقراری ارتباط دو رایانه، وظایف را به هفت قسمت تقسیم کرده و به 7 لایه OSI معروف شده‌اند و به ترتیب ( فیزیکی – پیوند داده ها – شبکه – انتقال – جلسه – نمایش و کاربردی ) می‌باشند .

• CSMA/CD : نوعی روش دسترسی به خط با استفاده از روش گوش دادن به خط .

• Token Ring : روش عبور نشانه که در شبکه‌های حلقوی به کار می‌رود، از انواع روش دسترسی به خط است .

• MAU : وسیله‌ای مانند هاب، اما در شبکه‌های حلقوی به کار می‌رود .

• Novell Netware‌ : نوعی سیستم عامل برای شبکه .

• Unix : نوعی سیستم عامل برای شبکه .

• Windows NT Server & Windows 2000 Advanced Server : نوعی سیستم عامل برای شبکه .

• Search Engine : موتور جستجو .

• معماری شبکه : به ترکیبی از استانداردها، پروتکل ها و توپولوژی ها معماری شبکه می‌گویند . زمانیکه کامپیوترهای شخصی اطلاعاتی را برای چاپگر و یا هر وسیله دیگری که به پورت موازی متصل است، ارسال می‌نمایند ، در هر لحظه هشت بیت ارسال خواهد شد. هشت بیت فوق بصورت موازی برای دستگاه ارسال خواهند شد. پورت موازی استاندارد، قادر به ارسال ۵۰ تا ۱۰۰ کیلوبایت در هر ثانیه است.

دوشنبه 18 تیر ماه سال 1386

مقدمه :

رشد سامانه‌های تلفن سیار، افزایش کاربران اینترنت و بالا رفتن انتظار و نیازهای کاربران مثل تقاضای دسترسی به اینترنت با کیفیت بالا از طریق سامانه‌های بی‌سیم، منجر به طراحی سامانه‌هایی شده است که بتوانند این نیازها را برآورده کنند. کاربران خدمات مخابراتی در آینده، ترجیح می‌دهند که خدمات مشابهی را که از شبکه‌های ثابت دریافت می‌کنند از یک محیط بی‌سیم نیز در اختیار داشته باشند. البته انتظار نمی‌رود که کاربران تمایل داشته باشند که عملکرد بهتر را قربانی حرکت پذیری بیشتر نمایند زیرادر هرصورت از ابزارهای مخابراتی ساکن هم استفاده خواهند کرد. بنابراین بهترین راه‌کار این است‌که سامانه‌های بی‌سیم با شبکه‌های ثابت نیز مجتمع شده باشد، به همین منظور شبکه‌های بی‌سیم به سرعت در حال تکامل و حرکت به سمت شبکه‌های تماما" IP هستند.

شبکه‌های نسل 1 ، 2 و ۲.۵:

امروزه شبکه‌های گوناگون بی‌سیم با ویژگی‌های مختلف درحال ارائه خدمات به مشترکان هستند که هریک از آنها مزایا و معایب خاص خود را دارند. (اولین سامانه مخابرات سلولی جهان در سال 1983 در آمریکا با نام AMPS شروع به کار کرد؛ این سامانه که آنالوگ بود به تدریج در اکثر مناطق جهان مورد استفاده قرار گرفت و از آن به عنوان نسل اول مخابرات سیار یاد می‌شود). شبکه‌های تلفن همراه GSM که در سال 1990 در اروپا آغاز به کار کرد نسل دوم مخابرات سیار بودند. در این شبکه‌ها زمان برقراری تماس با شبکه تا چندین ثانیه طول می‌کشد و سرعت آن به Kbps 6/9 محدود است. اما درGPRS زمان دسترسی، کمتر از یک ثانیه است و سرعت انتقال داده‌ها تا مرز kbps170 نیز می‌رسد. همچنین سرعت انتقال داده‌ها درEDGE (یکی دیگر از شبکه‌های گسترش‌یافته GSM)، به kbps370 ارتقاء یافته است. در نسل سوم سرعت انتقال اطلاعات به2 تا Mbps 10 و در نسل چهارم به ٢٠ تا Mbps١٠٠ خواهد رسید. به همین دلیل از دیدگاه کاربران شبکه‌های GSM، سرعت انتقال داده بسیار پایین، برقراری تماس بسیار دشوار و زمان آن طولانی است.از نظر فنی مشکل از اینجا ناشی می‌شود که خدمات بی‌سیم موجود براساس سوئیچینگ مداری کار می‌کنند.

 شبکه‌های سلولی نسل دوم مانندGSM، که فقط برای انتقال صوت مورد استفاده قرار می‌گیرند، ذاتا" دارای فناوری سوئیچ مداری هستند و شبکه‌های نسل 5/2 مانند GPRS، مدل گسترش یافته شبکه‌های نسل دوم هستند که از فناوری سوئیچ مداری برای انتقال صوت و از سوئیچ بسته‌ای برای تبادل داده استفاده می‌کنند.

 در بخش رابط هوایی سوئیچینگ مداری، در کل طول تماس، یک کانال ترافیکی کامل به مشترک اختصاص داده می‌شود. این در حالی است که در موارد ترافیک خوشه‌ای نظیر اینترنت، این کار بسیار ناکارآمد است. ولی در سامانه‌های سوئیچینگ بسته‌ای، یک کانال تنها در زمان مورد نیاز به کاربر اختصاص داده می‌شود و بلافاصله بعد از هر ارسال بسته‌ای، آزاد می‌گردد بنابراین کاربران مختلف می‌توانند از یک کانال فیزیکی بطور مشترک استفاده کنند. فناوری بسته‌ای GPRS برمبنای سامانه GSM موجود برای رفع این مشکل ابداع شده است بنابراین کاربران GPRS از سرعت دسترسی و نرخ داده بالاتری برخوردار می‌شوند.

نکته دیگر اینکه در سامانه‌های مبتنی بر سوئیچینگ مداری، کارکرد بر اساس مدت زمانی که کاربر به شبکه متصل است، محاسبه می‌شود چراکه پهنای باند فقط برای کاربر اختصاص داده شده است، بنابراین یک کاربر حتی برای زمانی که اطلاعاتی مبادله نمی‌کند هم باید هزینه بپردازد. به همین دلیل این خدمات برای بیشتر مشترکین هزینه بسیار بالایی درپی دارد. اما در GPRS که مبتنی بر سوئیچینگ بسته‌ای است، کارکرد بر اساس حجم اطلاعات مبادله شده محاسبه می‌شود و مشترک می‌تواند مدت زیادی بدون اینکه بسته‌ای ارسال یا دریافت کند متصل باقی بماند و فقط هزینه مربوط به بسته‌های ارسالی و دریافتی را بپردازد زیرا فناوری سوئیچ بسته‌ای، پهنای باند را بیشتر مورد استفاده قرار داده و به بسته‌های هر کاربر اجازه رقابت برای بدست آوردن پهنای باند را می‌دهد بنابراین خدمات مختلف GPRS مثل دسترسی به پست الکترونیکی، وِب و سایر خدمات داده ای در کنار خدمات صوتی برای کاربران مقرون‌به‌صرفه‌تر خواهد بود. با این تفاصیل، می‌توان گفت که حرکت به سمت استفاده از سوئیچ بسته‌ای و به تبع آن شبکه‌های IP یک امر طبیعی است.

شبکه‌های نسل 3 و ۴:

 شبکه‌های نسل سوم مانند UMTS قصد داشتند مشکلات متعددی را که نسلهای 2 و 5/2 با آن روبرو شده بودند برطرف کنند. همان طوری که گفتیم، از جمله این مشکلات، سرعت‌های پایین ارسال، قیمت زیاد و وجود فماوری ‌های ناهمخوان و سازگارناپذیر (TDMA/CDMA) در کشورهای مختلف است. بنابراین، به منظور فعال‌سازی استفاده از خدمات چندرسانه‌ای جدید، حتی پهنای باندها نیز باید با کمترین هزینه نسبت به سامانه‌های پیشین ارائه شوند.

 انتظاراتی که از نسل 3 وجود داشت، افزایش پهنای باند بهKb/s 128 در ماشین‌ها وMb/s 2 در کاربردهای ثابت بود. ولی در واقعیت، خروجی نسل سوم نه روشن بود و نه مشخص. البته یک قسمت از این مشکل به استفاده تامین کنندگان و ارائه دهندگان شبکه‌ها از استانداردهای مجزا برای نگهداری و پشتیبانی سامانه‌ها برمی‌گردد زیرا بدنه این استانداردها باعث ایجاد تفاوت‌هایی در فناوری واسط‌های هوایی می‌شود. در ضمن سوالات مالی متعددی هم وجود دارد که باعث تردید در مرغوبیت شبکه‌های نسل 3 می‌شود و این نگرانی وجود دارد که در بسیاری از کشورها، نسل 3 مورد توجه واقع نشود. این نگرانی‌ها در نهایت باعث ایجاد رقابت و تمایل به استفاده از فناوری‌های‌ بی‌سیم ‌نسل چهارم شد. شبکه‌های نسل چهارم یا G4، نامی است که به سامانه‌های سیار مبتنی‌برIP که دسترسی را از طریق یک مجوعه از واسطه‌های رادیویی تامین می‌کنند، داده شده است. این شبکه‌ها متکی بر فناوری‌های سوئیچ بسته‌ای هستند و به طور کلی مبتنی بر مجموعه پروتکل IP در هر دو بخش شبکه‌های باسیم و بی‌سیم هستند. شبکه G4 برقراری بهترین خدمات اتصال فراگشت بی‌سیم را تعهد می‌کند و از طرف دیگر چندین واسط دسترسی رادیویی مانند:HIPERLAN ،WA ، GPRS وBLUETOOTH را به یک شبکه واحد که کاربر از آن استفاده می‌کند تبدیل خواهد کرد.

 با این ویژگی، کاربران خواهند توانست به خدمات مختلف دسترسی پیدا کرده و پوشش بیشتری داشته باشند در ضمن، راحتی استفاده از یک وسیله واحد را نیز تجربه کنند. از طرف دیگر یک صورتحساب را با کاهش کل هزینة دسترسی داشته و دسترسی بی‌سیم قابل اعتمادی را حتی در صورت از دست دادن یک یا چند شبکه، داشته باشند. در حال حاضر G4 یکی از ابتکارات مراکز R&D برای فائق آمدن بر محدودیت‌های موجود و برطرف کردن مشکلات G3 است که نتوانسته به وعده‌های خود در زمینه عملکردها و خروجی های مختلف عمل کند.

جایگاه مدیریت حرکت پذیری در شبکه‌های بی‌سیم:

بحث مدیریت حرکت‌پذیری به‌واسطه تامین یک ارتباط مستمر برای گره‌هایی که نقطه اتصال خود به شبکه را تغییر می‌دهند، مطرح شده است. با توجه به رشد روزافزون پایانه‌های همراه و احتیاج به جابه‌جایی بین شبکه‌های بی‌سیم با فناوری‌های مختلف، پشتیبانی از حرکت‌پذیری (در یک ‌شبکه و بین شبکه‌های ‌مختلف) تبدیل به یکی از خدمات موردنیاز و ضروری برای شبکه‌های تجاری و نظامی شده است. بنابراین در سالهای اخیر، تلاشهای زیادی در جهت توسعه طرح‌های مدیریت حرکت پذیری موجود و ارایه روش‌های جدید با در نظر گرفتن استانداردهایی از جملهIETF ، 3GPP و IEEEانجام گرفته و روشهای متفاوتی برای محیط های مختلف پیشنهاد شده است که این روش‌ها برای همسازی بین درجه‌های مختلف حرکت‌پذیری گره‌ها، مشخصات ترافیکی و احتیاجات Qos طراحی شده‌اند.

شبکه‌های بی‌سیم، حرکت پذیری و IP:

از آنجایی کهIP با هدف حرکت‌پذیری طراحی نشده بود، مشکلات زیادی برای پیاده‌سازی شبکه‌های بی‌سیم تماما" IP به وجود آمد. اولین مشکل این بود که در داخل یک شبکه IP یک آدرس IP هم برای شناسایی گره و هم برای شناسایی محل آن استفاده می‌شود. بنابراین وقتی که یک گره سیار در داخل یک شبکه حرکت می‌کند، آدرس IP آن باید تغییر کند که این مشکل در طرح‌های متعددی از جمله MIP عنوان شده است.

طرح‌MIP سازوکاری را پیشنهاد می‌کند که در آن به گره‌های سیار اجازه می‌دهد که نقطه اتصال خود و در نتیجه آدرس IP خود را در داخل شبکه تغییر دهند. البته باید توجه داشت وقتی که MIP طراحی شد، شبکه های بی‌سیم تماما" IP در نظر گرفته نشده بودند و برخی از سازوکار‌هایی که به وسیله MIP استفاده می‌شود، مناسب این گونه شبکه‌ها نیست. به عنوان مثال قابل پیش بینی بود که صدا به عنوان یک سرویس مهم در شبکه‌های بی‌سیم باند پهن همچنان مطرح باشد و به منظور پشتیبانی مناسب صدا بر روی IP ، شبکه باید تاخیر کم و تغییرات تاخیر کم را بر بسته‌های صدا داشته باشد که این تاخیرهای کم حتی در صورتیکه کاربرتلفن همراه قصد فراگشت داشته باشد نیز باید تامین شود (یعنی وقتی که از یک ایستگاهBS به ایستگاه دیگری می‌رود) بنابراین گره سیار باید قادر باشد که به‌سرعت، آدرس IP خودش را در حین انجام فراگشت تغییر دهد.

http://www.tcwmagazine.com :منبع

دوشنبه 11 تیر ماه سال 1386
اگر درست رانندگی کنید و به نکات مهم فنی در تعمیر و نگهداری خودروهایتان توجه نمایید سالانه میتوانید به ازای هر خودرو دست کم 600 لیتر سوخت کمتر مصرف کنید یا به عبارتی در سال 50 هزار تومان کمتر پول بنزین بدهید. البته اگر قیمت واقعی بنزین را چیزی حدود 50 سنت یا 500 تومان در نظر بگیریم رقمی که از محل صرفه جویی سالانه عاید کشور میشود به ازای هر خودرو به 300 هزار تومان میرسد.



در این مقاله در خصوص راه های کاهش مصرف سوخت بحث شده است.
خواندن آنرا به همه مخصوصا علاقمندان به خودرو توصیه میکنم. چون حاوی مطالب جالب و مفیدیست.

+ آیا صبح ها روشن شدن خودرو با اولین استارت مهم است؟
- بله. اگر با اولین استارت روشن نشد ببینید خودرویتان انرژکتوری است یا کاربراتوری. اگر انژکتوری بود بهتر آن است که به تعمیرگاههای دارای دستگاه دیاگ مراجعه کنید ولی اگر کاربراتوری بود مراجعه به یک تعمیرکار زبده کافی است. اگر در هوای سرد اتومبیل شما گرم میشود احتمالا باید ترموستات آنرا عوض کنید. به هر حال اقدام هریک از این امور در صورت عدم دسترسی به تعمیرگاه برای خود شخص هم امکان دارد.

+ برخی عادت دارند صبح قبل از روشن کردن خودروهایشان، کاپوت را بالا بزنند و دقایقی از وقت خود را صرف بازرسی قطعات موتور کنند آیا این کار هر روز ضروری است؟
- خودرو با صاحبش حرف میزند و ایرادهای خود را به راننده اطلاع میدهد! مثلا وقتی لوله اگزوز شم صدا میکند یا از درون آن دود بیرون می آید حتما موتور سعی دارد چیزی به شما بگوید!
پیش از روشن کردن موتور اتومبیل خود ابتدا به ناحیه زیر کاپوت نگاهی بیندازید تا ببینید آیا همه اجزا و وسایل در وضعیت مناسبی هستند و کار خود را درست انجام میدهند یا خیر.
اگر فیلتر هوا کثیف باشد و با سرعت 80 کیلومتر در ساعت حرکت کنید، با مصرف هر لیتر بنزین تقریبا نیم کیلومتر کمتر جلو میروید. مثلا خودروی شما اگر با مصرف هر لیتر بنزین معادل 15 کیلومتر جلو میرود، وقتی فیلتر هوا کثیف باشد همین مقدار بنزین مصرف میکند ولی معادل 14.5 کیلومتر جلو میرود.
اگر سوپاپ تهویه کارتر نیز درست کار نکنید راندمان و بازده موتور کاهش میابد و احتمال آلوده شده روغن موتور و روغن سوزی نیز هست.
اگر شمع ها خوب جرقه نزند و به اصطلاح موتور جرقه کم بیاورد، مصرف سوخت تا 25 درصد افزایش میابد.
اگر سیستم جرقه زنی خودرو نیازمند تنظیم است با یک تنظیم ساده میزان کربن مونواکسید و هیدروکربنهای خروجی از اگزوز به اندازه 40 تا 50 درصد کاهش میابد. با این کار هم در مصرف سوخت کاهش میابد و هم عملکرد موتور بهتر میشود.
اگر تسمه های مختلفی که پروانه، واتر پمپ، دینام و انواع وسایل دیگر را به موتور وصل میکنند، بیش از اندازه شل یا سفت باشد بازده موتور به شدت کاهش میابد. تسمه باید حدود 1.25 سانتیمتر آزادی داشته باشد و ساییده و نخ نما نباشد.
اگر ترمزها تنظیم نباشند، ممکن است در حین حرکت خودرو با کاسه یا دیسک ترمز تماس داشته باشند و در برابر حرکت چرخ مقاومت نشان دهند. این مقاومت سبب میشود که چرخ برای چرخیدن توان بیشتری لازم داشته باشد. بهترین راه این است که زیر هر چرخ جک بزنید و آنرا با دست بچرخانید. اگر ترمز با کاسه یا دیسک اصطکاک داشته باشد، وقتی میخواهید چرخ را بچرخانید مقاومت آنرا حس خواهید کرد.
اگر لوله اگزوز اتومبیل شما صدای غیر عادی میدهد، ممکن است سوراخ شده باشد.

+ در مورد گرم کردن صبحگاهی موتور به صورت کارکرد درجا چه باید کرد؟ میگویند اگر این کار را نکنیم پوسته موتور ترک میخورد. این گفته صحیح است؟
- حرکت تا 2 کیلومتر با موتور سرد، تا 70 درصد به مصرف سوخت اتومبیل شما افزوده میکند. ولی برای گرم کردن موتور احتیاجی به گرم کردن درجا آنهم در زمان طولانی نیست. زیرا برای گرم کردن موتور اغلب اتومبیلهای جدید نیم دقیقه کافیست. در مورد اتومبیلهای قدیمی میتوانید پس از یک دقیقه راه بیفتید. اما برای گرم کردن خودرو ابتدا کمی آهسته حرکت کنید.

+ گفته میشود حتی بی اهمیت ترین اقدامات در رانندگی به میزان مصرف سوخت ارتباط دارد. این گفته صحیح است؟
- بله. شاید باور نکنید اما حتی در هنگام گردش به چپ بنزین بیشتری مصرف میشود تا در هنگام گردش به راست.زیرا برای گردش به چپ ناگزیر باید توقف کرد و موتور ماشین باید مدتی درجا کار کند و این یعنی بنزین بسوزاند اما جلو نرود تا راه باز شود و شما بتوانید به چپ گردش کنید.
در این هنگام نیز باید هیکل سنگین اتومبیل را از حالت سکون به حالت حرکت دربیاورید که اینهم مستلزم مصرف کردن بنزین اضافی است. به همین دلیل با دور زدن در میدانی که در نزدیکی شماست، یا از محل دوربرگردان، بنزین کمتری مصرف میشود تا دور زدن در وسط خیابان.

+ آیا شرایط روحی و روانی راننده در کاهش و افزایش مصرف سوخت تاثیر دارد؟
- بله. مثلا باید صندلی اتومبیل خود را در راحت ترین وضعیت ممکن تنظیم کنید. تحقیق نشان داده است که رانندگی در وضعیت راحت به راننده کمک میکند که پدال گاز را ملایمتر فشار دهد و وقتی پدال گاز ملایمتر فشار داده شود، بنزین کمتری مصرف میشود.
در صورت رانندگی با سرعت 80 کیلومتر بر ساعت، به جای 110 کیلومتر بر ساعت، راننده سبک پایی مثل شما میتواند تا 20 درصد در مصرف بنزین صرفه جویی کند! مقاومت هوا در سرعت های بالا عیب دیگری هم دارد و آن اینکه عمر شاسی خودرو را نصف میکند.

+ بعضی ها هنگامی اقدام به تعویض دنده میکنند که اتومبیل به اوج سرعت در آن مرحله رسیده باشد و صدای زوزه موتور به گوش برسد. آیا واقعا به وجود آوردن چنین شرایطی برای تعویض دنده و سرعت گرفتن ضرورت دارد؟
- خیر. راننده باید قبل از اینکه صدای زوزه موتور درآید و به اتومبیل فشار بیاید دنده را تعویض کند و به دنده های بالاتر برسد.
راننده باید آهسته و نرم راه بیفتد و به تدریج سرعت بگیرید. به حرکت آوردن خودرو از حالت سکون نیازمند مصرف کردن توان زیادی است. میتوانید این توان را به صورت موثر با راه افتادن آهسته و سرعت گرفتن تدریجی به خودرو بدهید، تا پایتان را تا ته روی پدال گاز فشار دهید و تیک آف کنید. اگر آهسته راه بیفتید و به تدریج سرعت خود را افزایش دهید، میتوانید تا 50 درصد در مصرف سوخت برای پیمودن این مسافت اولیه صرفه جویی کنید.
یکنواخت رانندگی کنید. موجهای توقف و حرکت ترافیک را در نظر بگیرید تا ناگزیر از توقف نشوید. قبل از رسیدن به سربالایی، به تدریج سرعت خود را افزایش دهید به این ترتیب خودروی شا بخشی از مسیر را بدون زحمت طی میکند.
وقتی سربالایی را طی میکنید پایتان روی پدال گاز فشار ندهید. تا سرعت اولیه خود را حفظ کنید، مگر در حالتی که راه را بند آورده باشید.
در سرازیری گاز ندهید. وزن خودرو و سرعت اولیه آن شما را تا پایین سرازیری میبرد. پایتان را از روی پدال گاز بردارید و اجازه بدهید موتور کمی استراحت کند.

+ زمان خاصی را برای بنزین زدن باید مد نظر داشت؟
- یا صبح زود یا شب که هوای خنک تر است بنزین بزنید. بنزین هم مثل هرچیز دیگر در هوای گرم منبسط میشود. با افزایش دما به میزان 18 درجه سانتیگراد، 50 لیتر بنزین تقریبا به انداز 1 لیتر منبسط میشود. یعنی اگر در دمای 30 درجه سانتیگراد بالای صفر، 50 لیتر بنزین در باک خودروی خود بریزید و کنار پمپ بنزین توقف کنید تا هوا خنک شود و به 12 درجه سانتیگراد بالای صفر برسد، سرباک تقریبا به اندازه 1 لیتر پایین میرود.
هرگز باک را بیش از اندازه پر نکنید. کمی بگذارید خالی بماند. اگر باک بنزین را تا خرخره پر کنید وقتی درب باک را ببندید و راه بیفتید اگر از سربالایی بالا روید یا خودرو را در آفتاب پارک کنید، بنزین از بالای باک بیرون میریزد.

+ انجام چه اقداماتی را از سوی راننده برای مصرف بهینه سوخت اتومبیل ضروری میدانید؟
اگر لاستیکهای اتومبیل کمباد باشند، با مصرف هر لیتر بنزین تقریبا 1.5 کیلومتر کمتر راه خواهید پیمود. به علاوه لاستیکهای کم باید سریعتر ساییده میشوند. پس به اندازه کافی هوا به لاستیک برسانید. با توجه به رسیده فصل گرما لاستیکهای گل برفی و لاستیکهای یخ شکن را هرچه زودتر عوض کنید. این لاستیکها مصرف سوخت را افزایش میدهند.
برای حمل همه خرت و پرتهای درون صندوق عقب بنزین مصرف میکنید. بنابراین بهتر است تا حد امکان صندوق عقب را خالی نگه دارید.
باربند ظاهر گمراه کننده ای دارد. خیلی سبک به نظر میرسد و روی آن هم میشود هر چیزی را گذاشت. اما باربند به ویژه وقتی که بار روی آن باشد مقاومت بسیار زیادی در برابر هوا ایجاد میکند و جریان هوا را در اطراف اتومبیل تان مختل میسازد. اگر ناگزیر شدید باربند ببندید، دست کم بعد از اتمام کارتان آنرا بازکنید و باربند را همه جا با خودتان نبرید.
پایین بودن شیشه های بغل مقاومت باد را افزایش میدهد. سعی کنید از دریچه های تهویه، دریچه سقفی، یا شیشه های بادگیر(سانروف) استفاده کنید. روشن کردن کولر راه خوبی است.
وقتی کولر روشن باشد میتوانید شیشه ها را بالا بکشید. اما روشن کردن کولر مستلزم مصرف بنزین اضافی است. وقتی کولر اتومبیل روشن باشد با مصرف هر لیتر بنزین تقریبا یک کیلومتر کمتر طی میکنید. تا جایی که امکان دارد در سربالایی ها کولر اتومبیل را خاموش کنید و در سرازیری ها آنرا روشن کنید. بهتر است کولر را در فاصله های زمانی کوتاه روشن کنید.
مهارت خود را در رانندگی بر اساس میزان مصرف بنزین بسنجید. مثلا اگر با سرعت 50 کیلومتر در ساعت رانندگی میکنید و گاز میدهید تا سرعت خود را به 80 کیلومتر در ساعت برسانید، در حال که میدانید 300 متر جلوتر باید سرعت خود را کم کنید تا مثلا از چراغ چشمکزن یا میدان بگذرید، بنزین گرانبها را بیهوده برای رسیدن به سرعتی تلف کرده اید که خیلی زود باید آنرا کاهش دهید.
پیش از افزایش سرعت خودرو مطمئن شوید که کمی جلوتر مجبور نیستید برای عبور از چراغ چشمکزن، تقاطع یا پیچ، سرعت خود را کاهش دهید. یادتان باشد هروقت پایتان را روی پدال ترمز میگذارید سرعتی را کاهش میدهید که برای رسیدن به آن بنزین مصرف کرده اید(استهلاک سیستم ترمز و لنت هم جای خود را دارد) .

+ موتورشویی و تمیز نگه داشتن اجزای زیر کاپوت خوب است یا بد؟
- بسیاری عقیده دارند آنچه که دیده نمیشود ضرری به حال ما نخواهد داشت و هرگز خودشان را به زحمت نمی اندازند که موتور اتومبیل و ومحفظه زیر کاپوت را تمیز کنند. البته درست است کسانی که اتومبیل خود را میخواهند بفروشند یا به نمایش بگذارند یا آدمهای وسواسی همواره موتور اتومبیل خود را تمیز نگه میدارند اما دلایل عملی تری هم برای پاکیزه نگه داشتن این ناحیه و حذف گریس ٬ روغن ٬ بنزین و گرد و غبار از آن وجود دارد.
روغنی که در بدن سیلندر گرم شده در کارتر باید خنک شود تا هنگام بازگشت به موتور بتواند نقش خنک کنندگی خود را اجرا کند. کارتر از طریق تماس با هوایی که در هنگام حرکت اتومبیل زیر آن جریان دارد خنک میکند. بخش از گرمای موتور و نیز سایر اجزای فلزی زیر کاپوت نیز از طریق تماس بدنه آنها با هوا دفع میشود. اگر لایه ای از روغن و گریس و گرد و غبار و حشرات بیجان و احتمالا هزار و یک جور آشغال دیگر روی بدنه موتور و وسایل دیگر را پوشانده باشد٬ مبادله گرما بین سطح این وسایل و هوا وجود ندارد و در حقیقت موتور گرم میماند. موتور گرم قدرت کافی ندارد و در حقیقت بخش عمده بنزین مصرفی را به گرما تبدیل میکند و شما برای طی مسافت ثابت باید مقدار بیشتری بنزین مصرف کنید.

+ تعویض به موقع روغن موتور ارتباطی به مصرف بنزین دارد؟!
- بله. اگر روغن موتور اتومبیل خود را به موقع و به صورت منظم عوض کنید و همیشه موتور اتومبیل را طوری تنظیم کنید که در اوج قدرت و بازده باشد٬ احتمالا متوجه میشوید که مصرف بنزین خودروی شما٬ در مقایسه با گذشته چقدر کاهش میابد. اگر سوپاپ تهویه کارتر خوب کار نکند٬ بازده موتور کم میشود و احتمال آلوده شدن روغن موتور و روغن سوزی کاهش وجود دارد که همین موضوع موجب افزایش مصرف سوخت هم میشود.

phalls.com

شنبه 2 تیر ماه سال 1386

WiMAX یکی از استانداردهای شبکه بی سیم در زمینه دسترسی کاربران به ارتباطی سریع و مطمئن می باشد. این نام از حروف Worldwide Interoperability for Microwave Access گرفته شده است. WiMAX در آینده بسیار نزدیک اینترنت را در کنار شبکه های مخابراتی قرار خواهد داد و چنان انقلابی را در این زمینه به وجود خواهد آورد که روشن کردن اکثر کامپیوتر های قابل حمل و خانگی مساوی با اتصال آنها به اینترنت باشد. این استاندارد از طرف IEEE معتبر شناخته شده و پروتکل 802.16 از طرف این سازمان به آن اختصاص یافته است.

از نظر استفاده از امواج مایکروویو برای دسترسی مستقیم کاربران به اینترنت تا حدود زیادی شبیه WiFi است، با این تفاوت که سرعت آن بسیار بالاتر و برد آن به طور چشمگیری وسیع تر است به طوری که سرعت آن را می توان با خطوط پرسرعت با پهنای باند وسیع ( نظیر T3 و DSL) و برد امواج آن را با سرویس تلفن همراه مقایسه کرد. از نظر فراگیری شبکه نیز با هیچ کدام از مقیاس های شناخته شده شبکه قابل مقایسه نیست و حتی از مقیاس MAN که برای شبکه های شهری به کار می رود و در حال حاضر بزرگترین مقیاس شبکه های یکپارچه است هم به مراتب وسیع تر است. این سیستم از دو بخش کلی تشکیل می شود :


  • WiMAX BTS که بیشترین شباهت را به BTS های مخابراتی دارد.
  • گیرنده WiMAX شامل آنتن گیرنده امواج مایکروویو که میتواند بر حسب موقعیت گیرنده از یک قطعه کوچک گیرنده WiFi در یک لب تاپ تا گیرنده فرستنده داخلی در یک اداره متفاوت باشد.

WiMAX BTS می تواند به طور مستقیم و با یک پهنای باند بالا ( مثلا خط T3 ) با اینترنت در ارتباط باشد و امواج را به کاربران و یا BTS بعدی انتقال دهد.

 با توجه به گستره بالای هر BTS با ایجاد BTS های متعدد در انتهای محدوده تحت پوشش یک BTS دیگر، میتوان محدوده قابل توجهی را (مشابه با سیستم تلفن همراه غیر ماهواره ای ) تحت پوشش قرار داد.


سرویس های قابل ارائه بر روی بستر شبکه WiMAX :

بر روی بستر شبکه بی سیم امکان ایجاد اینترنت پر سرعت شبکه های VPN, VoIP و سرویس های Video Conferencing , E-learning , E-banking و Video on Demand میسر می باشد.

شبکه VPN مبتنی بر فناوری WiMAX :

VPN یا همان Virtual Private Network نوعی از پیکربندی های شبکه است که به دلیل امنیت فوق العاده بالاتری که نسبت به دیگر توپولوژی های شبکه های کامپیوتری دارد با استقبال بی نظیری مواجه شده است. VPN در حقیقت با ایجاد یک تونل اختصاصی میان فرستنده و گیرنده اطلاعات ، امکان دسترسی کاربران متفرقه به اطلاعات مبادله شده در شبکه را از میان می برد. VPN هر چند بسته اطلاعاتی را به صورت کپسولی در آورده و ارسال می نماید که این کار سبب میشود داده ها درحین پروسه ارسال برای کاربران متفرقه به هیچ عنوان قابل دسترسی نباشند و امنیت داده ها را تا پایان این پروسه تضمین میکند. VPN شبکه ای است کاملا ایده آل برای سازمان ها و شرکت هایی با تعداد شعبات بالا و پراکنده که برای آنها امنیت داده ها در حین پروسه ارسال و دریافت مهمترین نکته به شمار میرود.

انواع شبکه VPN قابل ارائه توسط شرکت لایزر :

  • IP VPN
  • MPLS VPN
  • Layer2 VPN
  • Layer3 VPN

VOD مبتنی بر فناوری WiMAX :

Video on Demand یا به اختصار VOD سرویس پخش ویدیو و فایل های تصویری بر روی بستر IP می باشد که کاربرد آن در پخش برنامه های تلویزیونی ، پخش زنده همایش ها ، کنفرانس ها و یا مسابقات ورزشی می باشد. در این سرویس محتوا از طریق دریافت کننده های ماهواره ای، دریافت کننده های تلویزیونی و یا دوربین های تلویزیونی دریافت و از طریق دستگاه ها یا کارتهای PCI و AGP وارد سیستم میشود و بوسیله سرورهای Encoding به یکی از استانداردهای قابل پشتیبانی توسط سیستم تبدیل، فشرده و آماده پخش میشود.



شبکه LAN to LAN مبتنی بر WiMAX :

یکی دیگر از امکانات بی نظیر فناوری WiMAX استفاده از این فناوری در شبکه های LAN to LAN است. شبکه LAN to LAN مبتنی بر این فناوری اتصال پرسرعت دو یا چند شبکه LAN را به صورت FULL - MESH امکان پذیر می سازد بدین صورت که دو یا چند شبکه LAN با هر نوع سرویس ارتباطی میتوانند با استفاده از فناوری WiMAX ارتباطی ایمن و پرسرعت با یکدیگر داشته باشند. به عنوان مثال کارمندان یک سازمان یا ارگان بزرگ میتوانند با استفاده از این فناوری در منزل خود نیز به سازمان یا ارگان خود مرتبط باشند و یا از سرویس اینترنت پر سرعت آن استفاده کنند.



کنفرانس ویدئویی Video Conferencing :

در یک تعریف ساده و اولیه می توان گفت Video Conferencing یعنی امکان برقراری ارتباط بین دو یا چند مکان داخل شهری ، بین شهری ، بین کشوری و یا ترکیبی از آنها به نحوی که در هر مکان شخص یا گروه شرکت کننده در کنفرانس بتواند صدا ، تصویر ، اطلاعات دیجیتال و مدارک کاغذی (مستندات ، نقشه ها و ... ) اشخاص و گروه های دیگر شرکت کننده در کنفرانس را بشنوند و ببینند.

منبع

یکشنبه 27 خرداد ماه سال 1386

Our exploration of thyristors begins with a device called the four-layer diode, also known as a PNPN diode, or a Shockley diode after its inventor, William Shockley. This is not to be confused with a Schottky diode, that two-layer metal-semiconductor device known for its high switching speed. A crude illustration of the Shockley diode, often seen in textbooks, is a four-layer sandwich of P-N-P-N semiconductor material:

Unfortunately, this simple illustration does nothing to enlighten the viewer on how it works or why. Consider an alternative rendering of the device's construction:

Shown like this, it appears to be a set of interconnected bipolar transistors, one PNP and the other NPN. Drawn using standard schematic symbols, and respecting the layer doping concentrations not shown in the last image, the Shockley diode looks like this:

Let's connect one of these devices to a source of variable voltage and see what happens:

With no voltage applied, of course there will be no current. As voltage is initially increased, there will still be no current because neither transistor is able to turn on: both will be in cutoff mode. To understand why this is, consider what it takes to turn a bipolar junction transistor on: current through the base-emitter junction. As you can see in the diagram, base current through the lower transistor is controlled by the upper transistor, and the base current through the upper transistor is controlled by the lower transistor. In other words, neither transistor can turn on until the other transistor turns on. What we have here, in vernacular terms, is known as a Catch-22

So how can a Shockley diode ever conduct current, if its constituent transistors stubbornly maintain themselves in a state of cutoff? The answer lies in the behavior of real transistors as opposed to ideal transistors. An ideal bipolar transistor will never conduct collector current if there is no base current, no matter how much or little voltage we apply between collector and emitter. Real transistors, on the other hand, have definite limits to how much collector-emitter voltage they can withstand before they break down and conduct. If two real transistors are connected together in this fashion to form a Shockley diode, they will be able to conduct if there is sufficient voltage applied by the battery between anode and cathode to cause one of them to break down. Once one transistor breaks down and begins to conduct, it will allow base current through the other transistor, causing it to turn on in a normal fashion, which then allows base current through the first transistor. The end result is that both transistors will be saturated, now keeping each other turned on instead of off

So, we can force a Shockley diode to turn on by applying sufficient voltage between anode and cathode. As we have seen, this will inevitably cause one of the transistors to turn on, which then turns the other transistor on, ultimately "latching" both transistors on where they will tend to remain. But how do we now get the two transistors to turn off again? Even if the applied voltage is reduced to a point well below what it took to get the Shockley diode conducting, it will remain conducting because both transistors now have base current to maintain regular, controlled conduction. The answer to this is to reduce the applied voltage to a much lower point where there is too little current to maintain transistor bias, at which point one of the transistors will cutoff, which then halts base current through the other transistor, sealing both transistors in the "off" state as they were before any voltage was applied at all

If we graph this sequence of events and plot the results on an I/V graph, the hysteresis is very evident. First, we will observe the circuit as the DC voltage source (battery) is set to zero voltage:

Next, we will steadily increase the DC voltage. Current through the circuit is at or nearly at zero, as the breakdown limit has not been reached for either transistor:

When the voltage breakdown limit of one transistor is reached, it will begin to conduct collector current even though no base current has gone through it yet. Normally, this sort of treatment would destroy a bipolar junction transistor, but the PNP junctions comprising a Shockley diode are engineered to take this kind of abuse, similar to the way a Zener diode is built to handle reverse breakdown without sustaining damage. For the sake of illustration I'll assume the lower transistor breaks down first, sending current through the base of the upper transistor:

As the upper transistor receives base current, it turns on as expected. This action allows the lower transistor to conduct normally, the two transistors "sealing" themselves in the "on" state. Full current is very quickly seen in the circuit:

The positive feedback mentioned earlier in this chapter is clearly evident here. When one transistor breaks down, it allows current through the device structure. This current may be viewed as the "output" signal of the device. Once an output current is established, it works to hold both transistors in saturation, thus ensuring the continuation of a substantial output current. In other words, an output current "feeds back" positively to the input (transistor base current) to keep both transistors in the "on" state, thus reinforcing (or regenerating) itself

With both transistors maintained in a state of saturation with the presence of ample base current, they will continue to conduct even if the applied voltage is greatly reduced from the breakdown level. The effect of positive feedback is to keep both transistors in a state of saturation despite the loss of input stimulus (the original, high voltage needed to break down one transistor and cause a base current through the other transistor):

If the DC voltage source is turned down too far, though, the circuit will eventually reach a point where there isn't enough current to sustain both transistors in saturation. As one transistor passes less and less collector current, it reduces the base current for the other transistor, thus reducing base current for the first transistor. The vicious cycle continues rapidly until both transistors fall into cutoff

Here, positive feedback is again at work: the fact that the cause/effect cycle between both transistors is "vicious" (a decrease in current through one works to decrease current through the other, further decreasing current through the first transistor) indicates a positive relationship between output (controlled current) and input (controlling current through the transistors' bases).

The resulting curve on the graph is classicly hysteretic: as the input signal (voltage) is increased and decreased, the output (current) does not follow the same path going down as it did going up

Put in simple terms, the Shockley diode tends to stay on once it's turned on, and stay off once it's turned off. There is no "in-between" or "active" mode in its operation: it is a purely on or off device, as are all thyristors

There are a few special terms applied to Shockley diodes and all other thyristor devices built upon the Shockley diode foundation. First is the term used to describe its "on" state: latched. The word "latch" is reminiscent of a door lock mechanism, which tends to keep the door closed once it has been pushed shut. The term firing refers to the initiation of a latched state. In order to get a Shockley diode to latch, the applied voltage must be increased until breakover is attained. Despite the fact that this action is best described in terms of transistor breakdown, the term breakover is used instead because the end result is a pair of transistors in mutual saturation rather than destruction as would be the case with a normal transistor. A latched Shockley diode is re-set back into its nonconducting state by reducing current through it until low-current dropout occurs

It should be noted that Shockley diodes may be fired in a way other than breakover: excessive voltage rise, or dv/dt. This is when the applied voltage across the diode increases at a high rate of change. This is able to cause latching (turning on) of the diode due to inherent junction capacitances within the transistors. Capacitors, as you may recall, oppose changes in voltage by drawing or supplying current. If the applied voltage across a Shockley diode rises at too fast a rate, those tiny capacitances will draw enough current during that time to activate the transistor pair, turning them both on. Usually, this form of latching is undesirable, and can be minimized by filtering high-frequency (fast voltage rises) from the diode with series inductors and/or parallel resistor-capacitor networks called snubbers

The voltage rise limit of a Shockley diode is referred to as the critical rate of voltage rise. Manufacturers usually provide this specification for the devices they sell

REVIEW

Shockley diodes are four-layer PNPN semiconductor devices. They behave as a pair of interconnected PNP and NPN transistors

Like all thyristors, Shockley diodes tend to stay on once they've been turned on (latched), and stay off once they've been turned off

There are two ways to latch a Shockley diode: exceed the anode-to-cathode breakover voltage, or exceed the anode-to-cathode critical rate of voltage rise

There is only one way to cause a Shockley diode to stop conducting, and that is to reduce the current going through it to a level below its low-current dropout threshold

www.allaboutcircuits.com

جمعه 18 خرداد ماه سال 1386

همانگونه که از نام این المام مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی ، جریان عبوری از  FET  کنترل می شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ کونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.

فت دارای سه پایه با نامهای درِین D - سورس S  و گیت G  است که پایه گیت ، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می نماید. فت ها دارای دو نوع N  کانال و P  کانال هستند. در  فت نوع N  کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می کند . FET ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن  بدن نیز تحریک می گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.

نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET  ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  )  یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است.

فت ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N  با مالتی متر ، نخست پایه گیت را پیدا می کنیم. یعنی پایه ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.

شنبه 12 خرداد ماه سال 1386

 در این قسمت راجع به گونه های ساده اولین ترانزیستورها که از سه لایه نیمه هادی تشکیل شده اند صحبت خواهیم کرد.

بصورت استاندارد دو نوع ترانزیستور بصورت PNP و NPN داریم. انتخاب نامه آنها به نحوه کنار هم قرار گرفتن لایه های نیمه هادی و پلاریته آنها بستگی دارد. هر چند در اوایل ساخت این وسیله الکترونیکی و جایگزینی آن با لامپهای خلاء، ترانزستورها اغلب از جنس ژرمانیم و بصورت PNP ساخته می شدند اما محدودیت های ساخت و فن آوری از یکطرف و تفاوت بهره دریافتی از طرف دیگر، سازندگان را مجبور کرد که بعدها بیشتر از نیمه هادیی از جنس سیلیکون و با پلاریته NPN برای ساخت ترانزیستور استفاده کنند. تفاوت خاصی در عملکرد این دو نمونه وجود ندارد و این بدان معنی نیست که ترانزیستور ژرمانیم با پلاریته NPN یا سیلیکون با پلاریته PNP وجود ندارد.

 

Transistor Junction
نمای واقعی تری از پیوندها در یک ترانزیستور که تفاوت کلکتور و امیتر را بوضوح نشان می دهد.

برای هریک از لایه های نیمه هادی که در یک ترانزیستور وجود دارد یک پایه در نظر گرفته شده است که ارتباط مدار بیرونی را به نیمه هادی ها میسر می سازد. این پایه ها به نامهای Base (پایه) ، Collector (جمع کننده) و Emitter (منتشر کننده) مشخص می شوند. اگر به ساختار لایه ای یک ترانزیستور دقت کنیم بنظر تفاوت خاصی میان Collector و Emitter دیده نمی شود اما واقعیت اینگونه نیست. چرا که ضخامت و بزرگی لایه Collector به مراتب از Emitter بزرگتر است و این عملا" باعث می شود که این دو لایه با وجود تشابه پلاریته ای که دارند با یکدیگر تفاوت داشته باشند. با وجود این معمولا" در شکل ها برای سهولت این دو لایه را بصورت یکسان در نظر میگیردند.

بدون آنکه در این مطلب قصد بررسی دقیق نحوه کار یک ترانزیستور را داشته باشیم، قصد داریم ساده ترین مداری که می توان با یک ترانزیستور تهیه کرد را به شما معرفی کرده و کاربرد آنرا برای شما شرح دهیم. به شکل زیر نگاه کنید. 

Transistor Circuit 
مدار ساده (مدار امیتر مشترک) برای آشنایی با طرز کار یک ترانزیستور

بطور جداگانه بین E و C و همچنین بین E و B منابع تغذیه ای قرار داده ایم. مقاومت ها یی که در مسیر هریک از این منابع ولتاژ قرار دادیم صرفا" برای محدود کردن جریان بوده و نه چیز دیگر. چرا که در صورت نبود آنها، پیوندها بر اثر کشیده شدن جریان زیاد خواهند سوخت.

طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به این پیوند حدود 0.6 تا 0.7 ولت با توجه به نوع ترانزیستور ولتاژ اعمال شود)، در آنصورت از مدار بسته شده میان E و C می توان جریان بسیار بالایی کشید. اگر به شکل دوم دقت کنید بوضوح خواهید فهمید که این عمل چگونه امکان پذیر است. در حالت عادی میان E و C هیچ مدار بازی وجود ندارد اما به محض آنکه شما پیوند BE را با پلاریته موافق بایاس کنید، با توجه به آنچه قبلا" راجع به یک پیوند PN توضیح دادیم، این پیوند تقریبا" بصورت اتصال کوتاه عمل می کند و شما عملا" خواهید توانست از پایه های E و C جریان قابل ملاحظه ای بکشید. (در واقع در اینحالت می توان فرض کرد که در شکل دوم عملا" لایه PN مربوط به BE از بین می رود و بین EC یک اتصال کوتاه رخ می دهد.)

بنابراین مشاهده می کنید که با برقراری یک جریان کوچک Ib شما می توانید یک جریان بزرگ Ic را داشته باشید. این مدار اساس سوئیچ های الکترونیک در مدارهای الکترونیکی است. بعنوان مثال شما می توانید در مدار کلکتور یک رله قرار دهید که با جریان مثلا" چند آمپری کار می کند و در عوض با اعمال یک جریان بسیار ضعیف در حد میلی آمپر - حتی کمتر - در مدار بیس که ممکن است از طریق یک مدار دیجیتال تهیه شود، به رله فرمان روشن یا خاموش شدن بدهید.

شنبه 5 خرداد ماه سال 1386

Schottky diodes

Schottky diodes are constructed of a metal-to-N junction rather than a P-N semiconductor junction. Also known as hot-carrier diodes, Schottky diodes are characterized by fast switching times (low reverse-recovery time), low forward voltage drop (typically 0.25 to 0.4 volts for a metal-silicon junction), and low junction capacitance.

The schematic symbol for a Schottky diode is shown here:

In terms of forward voltage drop (VF), reverse-recovery time (trr), and junction capacitance (CJ), Schottky diodes are closer to ideal than the average "rectifying" diode. This makes them well suited for high-frequency applications. Unfortunately, though, Schottky diodes typically have lower forward current (IF) and reverse voltage (VRRM and VDC) ratings than rectifying diodes and are thus unsuitable for applications involving substantial amounts of power.

Schottky diode technology finds broad application in high-speed computer circuits, where the fast switching time equates to high speed capability, and the low forward voltage drop equates to less power dissipation when conducting.

Tunnel diodes

Tunnel diodes exploit a strange quantum phenomenon called resonant tunneling to provide interesting forward-bias characteristics. When a small forward-bias voltage is applied across a tunnel diode, it begins to conduct current. As the voltage is increased, the current increases and reaches a peak value called the peak current (IP). If the voltage is increased a little more, the current actually begins to decrease until it reaches a low point called the valley current (IV). If the voltage is increased further yet, the current begins to increase again, this time without decreasing into another "valley." Both the schematic symbol and a current/voltage plot for the tunnel diode are shown in the following illustration:

The forward voltages necessary to drive a tunnel diode to its peak and valley currents are known as peak voltage (VP) and valley voltage (VV), respectively. The region on the graph where current is decreasing while applied voltage is increasing (between VP and VV on the horizontal scale) is known as the region of negative resistance.

Tunnel diodes, also known as Esaki diodes in honor of their Japanese inventor Leo Esaki, are able to transition between peak and valley current levels very quickly, "switching" between high and low states of conduction much faster than even Schottky diodes. Tunnel diode characteristics are also relatively unaffected by changes in temperature.

Unfortunately, tunnel diodes are not good rectifiers, as they have relatively high "leakage" current when reverse-biased. Consequently, they find application only in special circuits where their unique tunnel effect has value. In order to exploit the tunnel effect, these diodes are maintained at a bias voltage somewhere between the peak and valley voltage levels, always in a forward-biased polarity (anode positive, and cathode negative).

Perhaps the most common application of a tunnel diode is in simple high-frequency oscillator circuits, where they allow a DC voltage source to contribute power to an LC "tank" circuit, the diode conducting when the voltage across it reaches the peak (tunnel) level and effectively insulating at all other voltages.

Light-emitting diodes

Diodes, like all semiconductor devices, are governed by the principles described in quantum physics. One of these principles is the emission of specific-frequency radiant energy whenever electrons fall from a higher energy level to a lower energy level. This is the same principle at work in a neon lamp, the characteristic pink-orange glow of ionized neon due to the specific energy transitions of its electrons in the midst of an electric current. The unique color of a neon lamp's glow is due to the fact that it's neon gas inside the tube, and not due to the particular amount of current through the tube or voltage between the two electrodes. Neon gas glows pinkish-orange over a wide range of ionizing voltages and currents. Each chemical element has its own "signature" emission of radiant energy when its electrons "jump" between different, quantized energy levels. Hydrogen gas, for example, glows red when ionized; mercury vapor glows blue. This is what makes spectrographic identification of elements possible.

Electrons flowing through a PN junction experience similar transitions in energy level, and emit radiant energy as they do so. The frequency of this radiant energy is determined by the crystal structure of the semiconductor material, and the elements comprising it. Some semiconductor junctions, composed of special chemical combinations, emit radiant energy within the spectrum of visible light as the electrons transition in energy levels. Simply put, these junctions glow when forward biased. A diode intentionally designed to glow like a lamp is called a light-emitting diode, or LED.

Diodes made from a combination of the elements gallium, arsenic, and phosphorus (called gallium-arsenide-phosphide) glow bright red, and are some of the most common LEDs manufactured. By altering the chemical constituency of the PN junction, different colors may be obtained. Some of the currently available colors other than red are green, blue, and infra-red (invisible light at a frequency lower than red). Other colors may be obtained by combining two or more primary-color (red, green, and blue) LEDs together in the same package, sharing the same optical lens. For instance, a yellow LED may be made by merging a red LED with a green LED.

The schematic symbol for an LED is a regular diode shape inside of a circle, with two small arrows pointing away (indicating emitted light):

This notation of having two small arrows pointing away from the device is common to the schematic symbols of all light-emitting semiconductor devices. Conversely, if a device is light-activated (meaning that incoming light stimulates it), then the symbol will have two small arrows pointing toward it. It is interesting to note, though, that LEDs are capable of acting as light-sensing devices: they will generate a small voltage when exposed to light, much like a solar cell on a small scale. This property can be gainfully applied in a variety of light-sensing circuits.

Because LEDs are made of different chemical substances than normal rectifying diodes, their forward voltage drops will be different. Typically, LEDs have much larger forward voltage drops than rectifying diodes, anywhere from about 1.6 volts to over 3 volts, depending on the color. Typical operating current for a standard-sized LED is around 20 mA. When operating an LED from a DC voltage source greater than the LED's forward voltage, a series-connected "dropping" resistor must be included to prevent full source voltage from damaging the LED. Consider this example circuit:

With the LED dropping 1.6 volts, there will be 4.4 volts dropped across the resistor. Sizing the resistor for an LED current of 20 mA is as simple as taking its voltage drop (4.4 volts) and dividing by circuit current (20 mA), in accordance with Ohm's Law (R=E/I). This gives us a figure of 220 Ω. Calculating power dissipation for this resistor, we take its voltage drop and multiply by its current (P=IE), and end up with 88 mW, well within the rating of a 1/8 watt resistor. Higher battery voltages will require larger-value dropping resistors, and possibly higher-power rating resistors as well. Consider this example for a supply voltage of 24 volts:

Here, the dropping resistor must be increased to a size of 1.12 kΩ in order to drop 22.4 volts at 20 mA so that the LED still receives only 1.6 volts. This also makes for a higher resistor power dissipation: 448 mW, nearly one-half a watt of power! Obviously, a resistor rated for 1/8 watt power dissipation or even 1/4 watt dissipation will overheat if used here.

Dropping resistor values need not be precise for LED circuits. Suppose we were to use a 1 kΩ resistor instead of a 1.12 kΩ resistor in the circuit shown above. The result would be a slightly greater circuit current and LED voltage drop, resulting in a brighter light from the LED and slightly reduced service life. A dropping resistor with too much resistance (say, 1.5 kΩ instead of 1.12 kΩ) will result in less circuit current, less LED voltage, and a dimmer light. LEDs are quite tolerant of variation in applied power, so you need not strive for perfection in sizing the dropping resistor.

Also because of their unique chemical makeup, LEDs have much, much lower peak-inverse voltage (PIV) ratings than ordinary rectifying diodes. A typical LED might only be rated at 5 volts in reverse-bias mode. Therefore, when using alternating current to power an LED, you should connect a protective rectifying diode in series with the LED to prevent reverse breakdown every other half-cycle:

As lamps, LEDs are superior to incandescent bulbs in many ways. First and foremost is efficiency: LEDs output far more light power per watt than an incandescent lamp. This is a significant advantage if the circuit in question is battery-powered, efficiency translating to longer battery life. Second is the fact that LEDs are far more reliable, having a much greater service life than an incandescent lamp. This advantage is primarily due to the fact that LEDs are "cold" devices: they operate at much cooler temperatures than an incandescent lamp with a white-hot metal filament, susceptible to breakage from mechanical and thermal shock. Third is the high speed at which LEDs may be turned on and off. This advantage is also due to the "cold" operation of LEDs: they don't have to overcome thermal inertia in transitioning from off to on or vice versa. For this reason, LEDs are used to transmit digital (on/off) information as pulses of light, conducted in empty space or through fiber-optic cable, at very high rates of speed (millions of pulses per second).

One major disadvantage of using LEDs as sources of illumination is their monochromatic (single-color) emission. No one wants to read a book under the light of a red, green, or blue LED. However, if used in combination, LED colors may be mixed for a more broad-spectrum glow.

Laser diodes

The laser diode is a further development upon the regular light-emitting diode, or LED. The term "laser" itself is actually an acronym, despite the fact it's often written in lower-case letters. "Laser" stands for Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, and refers to another strange quantum process whereby characteristic light emitted by electrons transitioning from high-level to low-level energy states in a material stimulate other electrons in a substance to make similar "jumps," the result being a synchronized output of light from the material. This synchronization extends to the actual phase of the emitted light, so that all light waves emitted from a "lasing" material are not just the same frequency (color), but also the same phase as each other, so that they reinforce one another and are able to travel in a very tightly-confined, nondispersing beam. This is why laser light stays so remarkably focused over long distances: each and every light wave coming from the laser is in step with each other:

Incandescent lamps produce "white" (mixed-frequency, or mixed-color) light. Regular LEDs produce monochromatic light: same frequency (color), but different phases, resulting in similar beam dispersion. Laser LEDs produce coherent light: light that is both monochromatic (single-color) and monophasic (single-phase), resulting in precise beam confinement.

Laser light finds wide application in the modern world: everything from surveying, where a straight and nondispersing light beam is very useful for precise sighting of measurement markers, to the reading and writing of optical disks, where only the narrowness of a focused laser beam is able to resolve the microscopic "pits" in the disk's surface comprising the binary 1's and 0's of digital information.

Some laser diodes require special high-power "pulsing" circuits to deliver large quantities of voltage and current in short bursts. Other laser diodes may be operated continuously at lower power. In the latter case, laser action occurs only within a certain range of diode current, necessitating some form of current-regulator circuit. As laser diodes age, their power requirements may change (more current required for less output power), but it should be remembered that low-power laser diodes, like LEDs, are fairly long-lived devices, with typical service lives in the tens of thousands of hours.

Photodiodes

Varactor diodes

Constant-current diodes

A constant-current diode, also known as a current-limiting diode, or current-regulating diode, does exactly what its name implies: it regulates current through it to some maximum level. If you try to force more current through a constant-current diode than its current-regulation point, it simply "fights back" by dropping more voltage. If we were to build the following circuit and plot diode current over diode current, we'd get a graph that rises normally at first and then levels off at the current regulation point:

One interesting application for a constant-current diode is to automatically limit current through an LED or laser diode over a wide range of power supply voltages, like this:

Of course, the constant-current diode's regulation point should be chosen to match the LED or laser diode's optimum forward current. This is especially important for the laser diode, not so much for the LED, as regular LEDs tend to be more tolerant of forward current variations.

Another application is in the charging of small secondary-cell batteries, where a constant charging current leads to very predictable charging times. Of course, large secondary-cell battery banks might also benefit from constant-current charging, but constant-current diodes tend to be very small devices, limited to regulating currents in the milliamp range.

www.allaboutcircuits.com

<<    1      2      3      4      5      6      7      8      9      10    >>